R75TN282050H3J
80nF ±5% 650V 1.6kV
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75TN282050H3J
- 商品编号
- C3798535
- 商品封装
- 插件,P=22.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 80nF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 1.6kV;650V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- R75IN4100AA40K
- C4AUOBU4360M18J
- C4AUIBW5300M3LJ
- C4DENPQ5470A8TK
- C4AQLLW5360A36K
- R75RI227050H3J
- 274AC34400AA0J
- PHE448SB3220JR06
- C4AQIEW5520M3CJ
- R75QW41504000J
- C4AQLBW5900A3OK
- C4AQIBU4500M1YJ
- PFR5101J630J11L4BULK
- C4AUOBW5160M3HJ
- C4AF7BU4150T1YK
- C4AQOLW4450M34J
- PHE450MB6120JR06
- C4AQULW4750A36J
- R76PN31505050J
- R76UN256050H4J
- R73PI22204000J
- R75IN4100AA40K
- B32672L8222J289
- 716P22456MA3
- KP1830333063
- MKP385311040JBM2B0
- MKP385E41812JII2B0
- MKP1848H64090JY2
- MKP1848570094P4
- MKP385413250JPI2T0
- BLH706K901C164
- B32620A3513J289
- MKP1840410256
- ECW-HA3C433H4
- BFC238332753
- BFC237544201
- MKP1840333255M
- BFC237511363
- MKP386M510160JT3
- MKP385E42210KKP2T0
- MKP385222125JCA2B0
- MKP1839422634HQ

