TPS65R01Q-S6TR-S

TPS65R01Q是一款用于汽车领域反向保护的理想二极管控制器，需外接N沟道MOSFET工作。其正向压降可控制在低至20 mV，与普通肖特基二极管相比，能显著降低功率损耗。该器件支持3.2 V至60 V的宽工作电压范围，绝对最大额定值为65 V。对3.2 V输入电压的支持特别适合满足汽车系统中严苛的冷启动要求。此外，该器件可承受-60 V的反向电压，绝对最大额定值为-65 V。TPS65R01Q集成了电荷泵以驱动外部N沟道MOSFET。该器件提供精确的栅极控制，将源极和漏极之间的压差调节在20 mV。当检测到从阳极到阴极出现-11 mV的反向电压时，TPS65R01Q会在最大700 ns内关断外部MOSFET，以确保无反向电流流过。上述特性使得TPS65R01Q适用于各种汽车应用中的不同条件。TPS65R01Q采用小型SOT23-6封装，并通过AEC-Q100 Grade 1认证，可在-40°C至+125°C的环境温度范围内工作。

• 符合汽车应用资格：AEC-Q100 Grade 1，环境工作温度TA：-40°C至+125°C；结温TJ：-40°C至+150°C
• 宽输入电压范围：3.2 V至60 V，最大额定值65 V；-60 V反极性输入电压，最大额定值-65 V
• 外部NMOS驱动器：带外部电容的电荷泵；用于外部N沟道MOSFET的栅极驱动器；稳压导通模式下的VAK为20 mV；反向电流阻断时的VAK为-11 mV；用于关断NMOS的峰值灌电流为2.3 A
• 低静态电流：0.4 μA低关断电流；60 μA工作电流
• 保护功能：输入反极性保护；快速反向电流阻断：最大700 ns
• 配合合适的TVS二极管可满足汽车ISO 7637瞬态要求
• SOT23-6封装

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