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CA-IS3417WT
CA-IS3417WT
- 描述
- CA-IS3417WT是一款低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，CA-IS3417WT的开关次数更多，使用寿命更长。 CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET，由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3417WT
- 商品编号
- C41784146
- 商品封装
- SOIC-12-WB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.827333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us |
商品概述
CA-IS3417WT是一款低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，CA-IS3417WT的开关次数更多，使用寿命更长。 CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET，由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。 当输入二极管施加正压并且输入正向电流IF超过开启电流阈值IFT时，原边电路正常工作，将输入高电平通过发射机（TX）调制穿过隔离栅传输到副边，副边通过接收机（RX）将调制信号解调并转换成后级驱动所需的供电电压和控制信号，最终导通背靠背的SiC MOSFET；当输入正向电流IF小于关断电流阈值IFC时，发射机停止信号调制，副边的接收机没有能量和信号来源，后级驱动输出保持低电平，关断背靠背的SiC MOSFET。综上，CA-IS3417WT的副边无需额外供电，仅需在原边施加超过一定值的输入正向电流IF即可驱动输出级开关的导通。同时CA-IS3417WT在信号的调制解调和能量传输上做了优化设计，确保EMI在两层PCB的条件下能够满足CISPR32 Class B标准。 CA-IS3417WT采用12脚宽体SOIC封装，引脚排布兼容主流光MOS继电器，原副边之间的隔离耐压高达5kVRMS @ 1分钟，支持在额定扩展工业温度范围内（-40°C到125°C）正常工作。
商品特性
- 常开器件（输入不加电输出关断）
- 输入光耦兼容，模拟光耦输入特性：无传统光耦的光衰老化特性，输入最高反向耐压5.5V
- 内部集成背靠背SiC MOSFET：输出关断电压高达1700V（最小值），输出关断漏电流低至1μA（最大值），输出导通电阻：50Ω（典型值），支持高达50mA的输出导通电流，开启和关断时间小于300μs
- 优异的隔离性能（认证中）：符合UL 1577认证，1分钟5kV RMS隔离耐压，符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)标准的7070Vₚₖ V₁₀ₜₘ和2121Vₚₖ Vₗ₀ᵣₘ
- 采用12引脚宽体SOIC封装
应用领域
- 固态继电器
- 电池管理系统
- 储能系统
- 太阳能
- 新能源汽车充电装置