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6EDL04N065PRXUMA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

6EDL04N065PRXUMA1

基于SOI技术的三相栅极驱动器,具有过流保护、使能、故障反馈和集成自举二极管

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商品型号
6EDL04N065PRXUMA1
商品编号
C41733442
商品封装
TSSOP-25​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET
驱动通道数6
灌电流(IOL)375mA
拉电流(IOH)165mA
工作电压10V~17.5V
上升时间(tr)60ns
属性参数值
下降时间(tf)26ns
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
工作温度-40℃~+105℃
输入高电平(VIH)1.7V~2.4V
输入低电平(VIL)700mV~1.1V
静态电流(Iq)750uA
功能特性欠压保护;过流保护

商品概述

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器,用于控制三相系统中的功率器件,如MOS晶体管或IGBT,最大阻断电压为+650 V。基于所采用的SOI技术,该器件对瞬态电压具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。六个独立驱动器在低侧通过CMOS或LSTTL兼容信号控制,逻辑电平低至3.3 V。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元和一个过流检测单元。过流电平可通过选择电阻值和ITRIP引脚处的阈值电平来调整。两种故障条件(欠压和过流)都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的闭锁时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调整。RCIN输入具有2.8 µA的内部电流源,因此电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为:上拉165 mA,下拉375 mA。出于系统安全原因,实现了310 ns的互锁时间。输入EN的功能可通过使用外部NTC电阻选择性地扩展为过温检测。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高侧电源供电。

商品特性

  • 英飞凌薄膜SOI技术
  • 最大阻断电压 +650 V
  • 输出源/灌电流 +0.165 A/-0.375 A
  • 集成超快、低RDS(ON)自举二极管
  • SOI技术使桥式输出对高达-50 V的负瞬态电压不敏感
  • 所有六个驱动器均具有独立的控制电路
  • 过流和电源欠压检测
  • 过流检测后故障清除的外部可编程延迟
  • 故障条件下所有开关“关断”
  • CMOS和LSTTL兼容输入(负逻辑)
  • 每相信号互锁以防止交叉导通

应用领域

  • 家用电器
  • 制冷压缩机
  • 空调
  • 风扇和泵
  • 电机驱动器和通用逆变器
  • 电动工具
  • 轻型电动汽车

数据手册PDF