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XGP6508B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 21A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| Pd-功耗 | 83W | |
| RDS(on)-导通电阻(8V) | 150mΩ |
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