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NTBG032N065M3S
碳化硅（SiC）N沟道MOSFET，具有超低栅极电荷、低电容高速开关和100%雪崩测试特性，适用于SMPS、太阳能逆变器等
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG032N065M3S
- 商品编号
- C41660369
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.409nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 113pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ |
商品特性
- 典型导通电阻RDS(ON) = 32 mΩ，栅源电压VGS = 18 V
- 超低栅极电荷（QG(tot) = 55 nC）
- 低电容高速开关（Coss = 113 pF）
- 100%雪崩测试
- 该器件无卤，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅
应用领域
- 开关电源、太阳能逆变器、不间断电源、储能设备、电动汽车充电基础设施