R75II368050H8J
680nF ±5% 160V 250V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75II368050H8J
- 商品编号
- C3783932
- 商品封装
- 插件,P=15mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 680nF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 250V;160V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- R71VN41004030K
- C4AQQBW5180M36J
- C4AQOBU4630M11J
- R75QI22704000J
- C44PMGR5600RASJ
- C274AC34300AA0J
- R73TN2100SE00J
- C44AJGP5250ZA0J
- PHE450HK5180FR05
- R71MF31504030K
- PHE426HB6390JR06
- C4AQLEW6210A3BK
- C276CC34300AA0J
- C44AJGR6100ZA0J
- C4AQQBU4270M1YJ
- C4AULBU5110M11K
- C44PXGR5330RASK
- R76QF156050H3J
- R75II3390AA40J
- PFR5681J63J11L4BULK
- C4AF7EW5220A3AK
- R71VN41004030K
- C4AQQBW5180M36J
- C4AQOBU4630M11J
- MKP385343125JF02W0
- MKP385282085JD02W0
- MKP385310160JFM2B0
- MKP1839051631R
- MKP386M510125JT6
- MKP385436063JKI2B0
- ECW-F4393RHL
- ECW-FD2J474KB
- MKP385351040JCA2B0
- MKP1841447104
- MKP385E45685KKM2T0
- MKP385275100JD02G0
- MKP1837368013W
- ECW-H10682JV
- MKP385268085JC02H0
- BFC238344183
- BFC233814154
- MKP385420063JFI2B0

