R75MN410050H3J
1uF ±5% 400V 220V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- KEMET(基美)
- 商品型号
- R75MN410050H3J
- 商品编号
- C3783406
- 商品封装
- 插件,P=22.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 聚丙烯膜电容(CBB) | |
| 容值 | 1uF | |
| 精度 | ±5% |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 额定电压 | 400V;220V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
R75 125°C 系列由金属化聚丙烯薄膜制成,带有镀锡线的径向引脚。径向引脚通过电气焊接连接到电容器绕组端部的金属层。电容器封装在符合 UL 94V - 0 要求的自熄性、耐溶剂塑料外壳中,使用热固性树脂材料。根据电压参数和引脚间距,采用两种不同的绕组结构。汽车级器件满足汽车电子委员会严格的 AEC - Q200 认证要求。
商品特性
- 电压范围:160 - 2000 VDC
- 电容范围:1 nF - 33 μF
- 引脚间距:10 - 37.5 mm
- 电容公差:±5%、±10%、±20%
- 气候类别:55/110/56 IEC 60068 - 1
- 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
- 可在恶劣环境中使用
- 符合 RoHS 标准且引脚无铅
- 采用符合 IEC 60286 - 2 的卷带包装
- 具有自修复功能
- 汽车(AEC - Q200)级
应用领域
典型应用包括谐振电路、高频中高电流应用、可控硅整流器(SCR 和 IGBT)和 SiC(如 MOSFET)换相电路,以及高温和直流母线条件下的高电压、中高电流应用。不适合跨线应用(参见抑制电容器)。
- R75TI1560AA30J
- R71VN42204030K
- C274ACF5200WA0J
- PHE450PD5220JR06L2
- R75QI2470500EJ
- R75PI3100ZB30K
- C277LAC5300VA1J
- C4AFABU4100T11K
- R76QW3220SE30K
- R71XR510050H0K
- C878BG35500SA0J
- PFR5151J400J11L4BULK
- C4AQGBW5900P3OK
- R76TR339050H3J
- C4AF7BW4470T3FK
- C4AQPBU4330M11J
- C4AF7BW5100A3OK
- C4AULBW5400M3HK
- C878ZG35400AA2J
- R71PI33304030K
- C4AQOLW5100P36J
- R75TI1560AA30J
- R71VN42204030K
- B32654A6335K000
- MKP1848S55010JP4B
- B32642B4334J000
- MKP1839422161
- PSB2203100KHS
- BFC238341124
- MKP385E4562AJPM4T0
- B32653A0104K289
- 730P474X9100
- MKP385E43363JKI2B0
- B32620A4562J289
- MKP385391016JC02R0
- B32653A6364J000
- B32652A0333J000
- MKP385530063JPP2T0
- ECW-H16222RJV
- MKP1841327636
- MKP385E46840JIP2T0
- PPA2123100KJ

