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IQD009N06NM5SCATMA1
N沟道 60V 445A
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- 描述
- 特性：N- 通道，正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的热阻。 针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。 无铅引脚电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JECL1249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQD009N06NM5SCATMA1
- 商品编号
- C41613339
- 商品封装
- SON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 445A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 双侧散热优化设计
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求