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STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGHU30M65DF2AG
- 商品编号
- C41602668
- 商品封装
- HU3PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 84A | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 输出电容(Coes) | 146pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.393nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 22ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 151ns | |
| 导通损耗(Eon) | 210uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.147mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 223ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 45.4pF |