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UCC27301ADR
UCC27301ADR
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- 描述
- 专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。 输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27301ADR
- 商品编号
- C41558418
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3.7A | |
| 拉电流(IOH) | 4.5A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 7.2ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 20ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.9V | |
| 静态电流(Iq) | 190uA |
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