UCC21330ADR
UCC21330ADR
- 描述
- 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21330ADR
- 商品编号
- C41498903
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3000 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 传播延迟 tpLH | 45ns | |
| 传播延迟 tpHL | 45ns | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.3V | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1V | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| CMTI(kV/us) | 125kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 6.5V~25V |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
