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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21330ADR

隔离式双通道栅极驱动器

描述
是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21330ADR
商品编号
C41498903
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.415克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
传播延迟 tpLH45ns
传播延迟 tpHL45ns
输入高电平(VIH)2V~2.3V
输入低电平(VIL)0.8V~1V
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压6.5V~25V
功能特性死区时间控制

商品概述

UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN和 IGBT 晶体管。UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器,所有电源都配有 UVLO 保护。UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

商品特性

  • 可配置为双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 结温范围:–40℃ 至 +150℃
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 输出驱动电源VDD最高可达 25V,提供5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 典型传播延迟 33ns
  • 最大脉宽失真 5ns
  • 最大VDD上电延迟 10µs
  • 针对所有电源的UVLO保护
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 电阻器可编程死区时间
  • 集成可抑制短于 5ns 输入瞬态的抗尖峰脉冲滤波器

应用领域

  • 车载电池充电器
  • 高压直流/直流转换器
  • 汽车HVAC
  • 车身电子装置