温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G1003A
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
- 描述
- N沟MOS管
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- G1003A
- 商品编号
- C41433779
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
CMSA180P04A是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器
应用领域
- 电池保护
- 负载开关