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AOD4189
耐压:40V 电流:40A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AOD4189
- 商品编号
- C41431776
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 100 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 3.5 mΩ
- 栅极电荷低
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM 应用