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INN200EQ080A
增强型氮化镓功率晶体管，采用GaN-on-Silicon E-mode HEMT技术，顶部散热En-FCQFN封装，低栅极电荷、超低导通电阻、小尺寸
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- 商品型号
- INN200EQ080A
- 商品编号
- C41427572
- 商品封装
- QFN-10(3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ |
商品概述
采用3.0mm×5.0mm尺寸的En - FCQFN封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）。
商品特性
- 硅基氮化镓增强型HEMT技术
- 顶部散热En - FCQFN封装
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 占用空间极小
应用领域
- 高频DC - DC转换器
- 无线电源
- AC/DC充电器
- 移动电源
- D类音频
- M7(SMA)
- HoJLR0805-1/2W-10mR-1%
- HoJLR0805-1/2W-5mR-1%
- HoLRS3920-8W-1mR-1%
- HoLRS3920-8W-1mR-5%
- HoLRS3920-10W-0.3mR-1%
- HoLRS3920-10W-0.3mR-5%
- HoLRS5930-7W-0.75mR-1%
- HoLRS5930-9W-0.4mR-1%
- HoLRS5930-9W-0.25mR-1%
- HoLRS5930-9W-0.5mR-1%
- HoLRS5930-9W-1mR-1%
- HoLRS5930-10W-1mR-1%
- HoLRS5930-15W-0.2mR-5%
- HoLRS5930-15W-0.2mR-1%
- 0.08mm*50*62cm
- 0.08mm*40*42cm
- 0.09mm*48*36cm
- E0010
- E0013
- E0016