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HIGLD60R190D1
HIGLD60R190D1
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- 描述
- 这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。
- 商品型号
- HIGLD60R190D1
- 商品编号
- C41426365
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.236181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@6V |