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OSM45N10

1个N沟道耐压:100V 电流:50A

描述: 100V 45A N-MOS Rdson≤20mΩ@Vgs=10v
品牌名称: orisilicon(矽源)
商品型号: OSM45N10
商品编号: C41417376
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.48032克(g)

商品参数

商品概述

OSM15N10X2 is a 100V dual N-channel MOS device that can achieve a on-resistance of 90 mΩ and a continuous current of 15A at a gate-source voltage of 10V. OSM15N10X2 features low gate charge, low gate voltage, and high current conduction capability. It is suitable for applications such as load switches and PWM control. OSM15N10X2 is packaged in SOP8.

商品特性

VDS = 100V, ID = 15A
RSS(on)type = 90mΩ @VGS = 10V
超低RDS(ON)
低栅极电荷
高电流能力
SOP8封装

应用领域

电信、工业自动化领域的电源管理
电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	19nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.02nF
	反向传输电容(Crss)	40pF
	工作温度	-40℃~+125℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	540pF