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OSM45N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:50A

描述
100V 45A N-MOS Rdson≤20mΩ@Vgs=10v
品牌名称
orisilicon(矽源)
商品型号
OSM45N10
商品编号
C41417376
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.48032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)1.02nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-40℃~+125℃
类型N沟道
输出电容(Coss)540pF

商品概述

一款在栅源电压10V时可实现导通阻抗，45A持续电流的100V N沟道MOS器件。具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。采用TO - 252封装。

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