温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
OSM45N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- 100V 45A N-MOS Rdson≤20mΩ@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM45N10
- 商品编号
- C41417376
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
OSM45N10是一款100V N沟道MOS器件,在栅源电压为10V时,导通阻抗可达14 mΩ,持续电流为45A。 OSM45N10具有低栅极电荷、低栅极电压和高电流导通能力,适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM45N10采用TO - 252封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS)= 100V,漏极电流(ID)= 45A
- 栅源电压(VGS)= 10V时,静态导通电阻(RSS(on))典型值 = 14 mΩ
- 超低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- TO - 252封装
应用领域
- 电信、工业自动化领域的电源管理
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动
- DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
其他推荐
- HX PM2.54-2x11P ZC
- HX PM2.54-2x12P ZC
- SH-JN2.0-2-3P-W
- SH-JN2.0-2-4P-W
- SH-JN2.0-2-5P-W
- SH-JN2.0-2-6P-W
- SH-JN2.0-2-7P-W
- SH-JN2.0-2-8P-W
- SH-JN2.0-2-9P-W
- SH-JN2.0-2-10P-W
- SH-JN2.0-2-3P-Z
- SH-JN2.0-2-4P-Z
- SH-JN2.0-2-5P-Z
- SH-JN2.0-2-6P-Z
- SH-JN2.0-2-7P-Z
- SH-JN2.0-2-8P-Z
- SH-JN2.0-2-9P-Z
- SH-JN2.0-2-10P-Z
- SH-JN2.0-2-3P-T
- SH-JN2.0-2-4P-T
- SH-JN2.0-2-5P-T