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OSM15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- 100V 15A N-MOS Rdson≤130mΩ@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM15N10
- 商品编号
- C41417375
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
一款在栅源电压10V时可实现导通阻抗，15A持续电流的100V N沟道MOS器件。具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。采用TO - 252封装。
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单
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