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OSM15N10X2
2个N沟道 耐压:100V 电流:15A
- 描述
- 双路100V 15A N+N SOP8 MOS
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM15N10X2
- 商品编号
- C41417374
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413927克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
OSM15N10X2 是一款在栅源电压 10V 时可实现 90 mΩ 导通阻抗, 15A 持续电流的 100V 双路 N 沟道 MOS 器件。 OSM15N10X2 具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM 控制等应用场景。 OSM15N10X2 采用 SOP8 封装。
商品特性
- 漏源极电压（VDS）：100 V，漏极电流（ID）：15 A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值：90 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 超低 RDS(ON)
- 低栅极电荷（Low Gate Charge）
- 高电流承载能力
- SOP-8封装
应用领域
- 电源管理：适用于电信和工业自动化领域
- 电机驱动：适用于电动工具、电动车及机器人
- 电流开关：适用于 DC/DC 和 AC/DC（同步整流 SR）子系统