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SI4816BDY-T1-GE3-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET。100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：Notebook Logic dc-to-dc。Low Current dc-to-dc
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C41413775
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.29nF |
商品特性
~~- 快速开关-低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)-高功率和高电流处理能力
应用领域
- 功率开关应用-电源管理