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CMB060N12
N沟道 120V 120A
- 描述
- 060N12采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB060N12
- 商品编号
- C41410515
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品特性
- 漏源电压（Vds）
- 100V，漏极电流（ID）- 30A - 栅源电压（VGS）~~- 10V时，导通电阻（RDS(ON)）=40mΩ
- 先进的MOSFET工艺技术
- 专为PWM、负载开关和通用应用设计
- 超低导通电阻和低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复
- 工作温度可达150°C