SN74BCT2827CDWR

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN74BCT2827CDWR
商品编号: C3754308
商品封装: SOIC-24
包装方式: 编带
商品毛重: 0.917387克(g)

商品参数

商品概述

这些10位缓冲器和总线驱动器是专门为驱动MOS DRAM的容性输入特性设计的。它们为宽数据路径或携带奇偶校验的总线提供高性能总线接口。三态控制门是带有低电平有效输入的2输入与门，因此如果任意一个输出使能（OE1或OE2）输入为高，所有十个输出都处于高阻态。输出在上电和掉电条件下也处于高阻态。器件掉电期间输出保持高阻态。SN54BCT2827C的工作温度范围为-55℃ 至 125℃，SN74BCT2827C的工作范围为0℃ 至 70℃。

商品特性

BiCMOS设计大幅降低ICCZ
输出端口带有等效25Ω电阻，无需外部电阻
专门设计用于驱动MOS DRAMs
三态输出可驱动总线线路或缓冲存储器地址寄存器
直通架构优化PCB布局
上电高阻态
ESD保护超过2000 V，符合MIL-STD-883C方法3015
封装选项包含塑料小外形(DW)封装、陶瓷芯片载体(FK)、平装封装(W)，以及标准塑料和陶瓷300-mil DIPs (JT、NT)

应用领域

MOS DRAM驱动
总线线路驱动
存储器地址寄存器缓冲
宽数据路径总线接口
携带奇偶校验的总线接口

	属性	参数值
	商品目录	缓冲器/驱动器/收发器
	输入类型	-
	输出类型	三态
	工作电压	4.5V~5.5V
	元件数	1
	每个元件位数	10
	通道类型	-

	属性	参数值
	灌电流(IOL)	12mA
	拉电流(IOH)	1mA
	系列	74BCT
	工作温度	0℃~+70℃
	静态电流(Iq)	6mA
	传播延迟(tpd)	-
	功能特性	掉电隔离；输出使能