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GBQ6600
GBQ6600
- 描述
- GBQ6600提供四个可编程偏置DAC，每个DAC都有独特的温度补偿方案，以优化射频功率放大器的性能并校正任何温度影响。这四个DAC可通过四个独立的、用户定义的两段式温度 - 电压转换函数进行编程，具备可控的+/-偏置电压设置，所需的控制代码存储在内部MTP中，无需额外的外部电路。上电后，偏置控制器会自动重新加载预定义的偏置设置，为高射频功率应用中的偏置电压稳定和补偿提供完整且受保护的解决方案，并提供所需的源电流或灌电流
- 品牌名称
- GPowerTek(普能)
- 商品型号
- GBQ6600
- 商品编号
- C41410402
- 商品封装
- QFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电荷泵 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
GBQ6600提供四个可编程偏置DAC，每个DAC都有独特的温度补偿方案，以优化RF功率放大器的性能并校正任何温度影响。这四个DAC可通过四个独立的、用户定义的两段式温度 - 电压传递函数进行编程，具有可控的+/-偏置电压设置，所需的控制代码存储在内部MTP中，无需额外的外部电路。上电后，偏置控制器会自动重新加载预定义的偏置设置，为高RF功率应用中的偏置电压稳定和补偿提供完整且受保护的解决方案，并提供所需的源电流或灌电流。GBQ6600有四个模拟输出，可通过专用控制引脚快速切换到负载。输出切换专为5G TDD应用所需的快速响应而设计，结合器件的PA_ON引脚，可实现正确的功率时序控制，并保护GaAs和GaN等耗尽型晶体管。灵活的DAC输出范围和内置的时序特性使该器件可用作多种晶体管技术（如LDMOS、GaAs和GaN）的偏置解决方案。
商品特性
- 10位可编程输出电压，具有两段式用户定义的温度系数（TC），用于热补偿
- 可配置的断点温度
- 最大TC范围：-6mV/℃至6mV/℃，增量步长为0.4mV/℃
- 2个本地和远程二极管温度传感器
- 内部128位MTP，可实现自主运行
- 四个模拟输出
- 四个单调DAC，分辨率为1.8mV
- 输出范围：-5.9V至 - 0.1V或0.1V至3.5V
- 可配置的4级截止电压
- 高电流驱动能力：50mA
- 输出开关
- 快速切换时间：120ns
- 低电阻选项：1欧姆
- 内置电源开/关时序控制
- SPI和I2C接口：标准和快速模式
- 指定温度范围：-40℃至125℃
应用领域
- 通信基础设施
- 4G/5G系统
- GaN/LDMOS/GaAs/HBT等的偏置控制器