MC14050BDR2
MC14050BDR2
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC14050BDR2
- 商品编号
- C3753297
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | 标准CMOS | |
| 输出类型 | 推挽式 | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 元件数 | 1 | |
| 每个元件位数 | 6 | |
| 通道类型 | 单向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 8mA | |
| 拉电流(IOH) | 4.7mA | |
| 系列 | 4000B | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1uA | |
| 传播延迟(tpd) | 140ns@5V,50pF |
商品概述
MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 非反相六缓冲器采用单一单片结构中的MOS P沟道和N沟道增强模式器件构建。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高噪声抗扰度的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可提供逻辑电平转换。输入信号的高电平（VIH）可以超过用于逻辑电平转换的VDD电源电压。当用作CMOS到TTL/DTL转换器时（VDD=5.0 V, VOL≤0.4 V, IOL≥3.2 mA），这些器件可以驱动两个TTL/DTL负载。请注意，这些器件内部未连接引脚13和16；因此，与这些端子的连接不会影响电路操作。
特点：
- 高源电流和灌电流
- 高至低电平转换器
- 电源电压范围 = 3.0 V 至 18 V
- VIN 可以超过 VDD
- 符合JEDEC B规范
- 所有输入端口改进的ESD保护
- NLV前缀适用于汽车及其他要求独特站点和控制变更的应用；符合AEC-Q100标准并具备PPAP能力
- 这些器件不含铅且符合RoHS标准
最大额定值（电压参考VSS）：
- VDD：直流电源电压范围 -0.5 至 +18.0 V
- VIN：输入电压范围（直流或瞬态） -0.5 至 +18.0 V
- VOUT：输出电压范围（直流或瞬态） -0.5 至 VDD + 0.5 V
- LIN：每引脚输入电流（直流或瞬态） ±10 mA
- LOUT：每引脚输出电流（直流或瞬态） ±45 mA
- PD：每封装功率耗散（注1）（塑料）（SOIC） 825 mW
- TA：环境温度范围 -55 至 +125 ℃
- Tstg：存储温度范围 -65 至 +150 ℃
- TL：引脚温度（8秒焊接） 260 ℃
该器件包含保护电路，以防止由于相对于VSS引脚的高静电电压或电场造成的输入损坏。必须采取额外预防措施，避免在高阻抗电路中应用任何高于最大额定电压的电压。为确保正常工作，建议的范围是VSS ≤ VIN ≤ 18V 和 VSS ≤ VOUT ≤ VDD。未使用的输入端必须始终连接到适当的逻辑电压电平（例如，VSS或VDD）。未使用的输出端应保持开路。
应用领域
- 汽车相关及其他需要独特站点和控制变更要求的应用场合