商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
ASI 3N187是一款带有单片栅极保护二极管的N沟道双栅耗尽型晶体管，用于高达300 MHz的射频、中频放大器和混频器应用。
应用领域
射频、中频放大器和混频器应用（高达300 MHz）