TIS74
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
该器件专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计，采用工艺54制造。