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HX2113-S

高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

描述: HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
品牌名称: ZHHXDZ(海芯电子)
商品型号: HX2113-S
商品编号: C41399165
商品封装: WSOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.7233克(g)

商品参数

商品概述

HX2110-S/HX2113-SPBF是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达500V或600V。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
可在高达+500V或+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压
抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10至20V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3V逻辑兼容
独立逻辑电源范围为3.3V至20V
逻辑地和功率地之间允许±5V的偏移
带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
逐周期边沿触发关断逻辑
双通道传播延迟匹配
输出与输入同相

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	17ns
	传播延迟 tpLH	120ns
	传播延迟 tpHL	94ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+85℃