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PJM60N20TE
耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- N沟道，VDS=20V ID=60A ,PD:37W RDS(ON)<6mΩ@Vgs=4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM60N20TE
- 商品编号
- C41398498
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.563nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 213pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理