商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 工作电压 | 5.5V | |
| 输出电压 | 3.4V | |
| 输出电流 | 1A | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 58dB@(100Hz) | |
| 压差 | 500mV@(1A) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 400uA | |
| 噪声 | - | |
| 功能特性 | 使能控制;噪声旁路端子;过流保护;短路保护;反极性电流保护;热关断 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
TPS737xx 系列线性低压降(LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用了NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻(ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。 TPS737xx 系列利用先进的BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗小于20nA,适用于便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
商品特性
- 与1μF 或更大的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
- 输入电压范围:2.2V 至5.5V
- 超低压降:1A 时典型值为130mV
- 即使使用仅为1μF 的输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
- 初始精度为1%
- 在线路、负载和温度范围内总精度为3%
- 关断模式下,I₀ 典型值小于20nA
- 热关断和电流限制可实现故障保护
- 提供多个输出电压版本可调节输出:1.20V 至5.5V 使用工厂封装级编程,可提供定制输出
应用领域
- 针对DSP、FPGA、ASIC 和微处理器的负载点调节
- 针对开关电源的后置稳压
- 便携式和电池供电类设备
- UA78M05CDCYRG3
- TPS78601KTTRG3
- TPS7A0531PDBVT
- ISL9005AIRBZ-T
- RP170N281D-TR-FE
- ISL80505IRAJZ-T7A
- MAX630MJA
- RP111N331D-TR-FE
- NJU7231U50-TE1#
- MAX1976AEZT150+T
- XC6701D882PR-G
- MAX8840ELT40+
- S-1313D23H-A4T1U3
- S-1132B46-M5T1G
- NJM2864F28-TE1
- RP105K121D-TR
- R1150H048A-T1-FE
- XC6217D16ANR-G
- R1173H121B-T1-FE
- NJU7744F03-TE1
- R5326K017B-TR

