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BM3G005MUV-LBE2
集成650V增强型GaN HEMT和硅驱动器的功率级IC，具备低寄生电感、高开关转换率、低EMI和多种保护功能，适用于高功率密度和高效率需求的电子系统
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BM3G005MUV-LBE2
- 商品编号
- C41383282
- 商品封装
- VQFN046V8080
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 6.83V~30V | |
| 上升时间(tr) | 5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 2.7ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 4.5V~30V | |
| 输入低电平(VIL) | -600mV~300mV | |
| 静态电流(Iq) | 180uA | |
| 功能特性 | 欠压保护；过热保护 |
商品概述
BM3G005MUV - LB为所有需要高功率密度和效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将650 V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到罗姆的原装封装中，与传统分立解决方案相比，显著降低了由PCB和引线键合引起的寄生电感。因此，可以实现高达150 V/ns的高开关转换速率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低EMI，各种保护和其他附加功能可优化成本和PCB尺寸。该IC设计用于适配主要的现有控制器，因此也可用于替代传统的分立功率开关，如超结MOSFET。
由于GaN器件的零反向恢复和极低的输出电容，该IC在基于桥接的拓扑结构中实现了出色的效率。还可以替换现有的Si MOSFET和散热器，以提高效率并减小PCB尺寸。集成的栅极驱动器具有较宽的VDD引脚和IN引脚输入电压工作范围，带来了出色的开关性能，如高漏极转换速率和低传播延迟，并且与传统的Si MOSFET分立器件相比，使GaN器件更易于使用。此外，还集成了各种保护功能，如VDD欠压锁定（UVLO）、LDO输出欠压保护（UVP）、热关断（TSD），以保护该IC免受损坏。功率正常信号从PG引脚输出，如果检测到任何异常状态，该信号将切换到低电平。
商品特性
- 集成Nano CapTM 5 V LDO
- VDD引脚电压工作范围宽
- IN引脚电压工作范围宽
- VDD静态和工作电流低
- 传播延迟低
- 高dv/dt抗扰度
- 可调节栅极驱动强度
- 功率正常信号输出
- VDD欠压锁定（UVLO）保护
- 热关断保护
应用领域
工业设备、高功率密度、高效率需求的电源或桥接拓扑，如图腾柱PFC、LLC电源、适配器等。