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STGF19NC60KD-VB
1个N沟道,耐压：600V，电流：10A
- 描述
- IGBT；TO220F；600/650V；10A；VCEsat_1.7V@VGE=15V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STGF19NC60KD-VB
- 商品编号
- C41381227
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.9125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 36pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.00044uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.00015uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 74ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温175℃
- 超低栅极电荷(Ω₉)
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信 - 服务器和电信电源
- 照明 - 高强度放电（HID） - 荧光镇流器照明
- 消费和计算 - ATX电源
- 工业 - 焊接 - 电池充电器
- 可再生能源 - 太阳能（光伏逆变器）