RP114K151D-TRB
1.5V 300mA 5.25V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Nisshinbo
- 商品型号
- RP114K151D-TRB
- 商品编号
- C3747924
- 商品封装
- DFN(PLP)1010-4B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 线性稳压器(LDO) | |
| 输出极性 | 正极 | |
| 工作电压 | 5.25V | |
| 输出电压 | 1.5V | |
| 输出电流 | 300mA | |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 75dB@(1kHz) | |
| 压差 | 350mV@(300mA) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 75uA | |
| 噪声 | 75uVrms | |
| 功能特性 | 过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃@(Ta) | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 输出通道数 | 1 |
商品概述
RP114x系列是一款基于CMOS的电压稳压器集成电路,具备高输出电压精度、低静态电流、低压差以及高纹波抑制特性。该集成电路由电压基准单元、误差放大器、用于设定输出电压的电阻、短路限流电路、芯片使能电路等部分组成。其最低输入电压为1.4V,输出电压可在0.8V至3.6V范围内以0.1V步进设定,且输出电压在内部固定。得益于内置的低导通电阻晶体管,该芯片实现了低压差性能。低静态电流和芯片使能功能有助于延长各系统的电池寿命。RP114x系列具有出色的纹波抑制、线路瞬态响应和负载瞬态响应,因此非常适合用作便携式通信设备的电源。该芯片提供DFN(PL)1010-4、DFN(PL)1010-4B、SC-88A、SOT-23-5等多种封装,便于在电路板上实现高密度安装。
商品特性
- 静态电流:典型值50μA
- 待机电流:典型值0.1μA
- 输入电压范围:1.4V至5.25V
- 输出电压范围:0.8V至3.6V(0.1V步进)
- 输出电压精度:±1.0%(VSET > 2.0V,Ta = 25℃)
- 输出电压温度漂移系数:典型值±80 ppm/℃
- 压差:典型值0.25V(IOUT = 300mA,VSET = 2.8V)
- 纹波抑制:典型值75dB(f = 1kHz)
- 线性调整率:典型值0.02%/V
- 封装:DFN(PL)1010-4、DFN(PL)1010-4B、SC-88A、SOT-23-5
- 内置折返式保护电路:典型值60mA(短路模式下的电流)
- 推荐使用陶瓷电容:1.0 μF或更大
应用领域
- 便携式通信设备的电源
- 相机、录像机和摄像机等电器的电源
- 电池供电设备的电源
- R1154H058B-T1-FE
- RP132S331D-E2-FE
- NJM78L10SU3-TE1
- RP173K181D-TR
- NJM12888F33-TE1
- NJM2884U1-25-TE1
- NJM2864F25-TE1
- RP100N301D-TR-F
- RP105N101D-TR-FE
- R5326K005B-TR
- RP200N371D-TR-FE
- RP112Q312B-TR-FE
- RP103K121D-TR
- RP103Q281D5-TR-FE
- R1172H121A-T1-FE
- NJM78LR05DD#
- R1501J100B-T1-JE
- R1114N331D-TR-FE
- R1524H033B-T1-KE
- RP107Z121B-TR-F
- RP115L341B-E2
- R1154H058B-T1-FE
- RP132S331D-E2-FE
- NJM78L10SU3-TE1
- RP173K181D-TR
- NJM12888F33-TE1
- NJM2884U1-25-TE1
- NJM2864F25-TE1
- RP100N301D-TR-F
- BD90GA3WNUX-TR
- MCP1812AT-030/7QX
- XC6901D40BMR-G
- XC6216B262ER-G
- S-1711C2818-M6T1G
- S-1711A3028-I6T1U
- XC6216D482FR-G
- TPS78501QWDRBRQ1
- XC6216B512MR-G
- TLE7279-2GV50
- AP7315DQ-25W5-7
- ADP1763WACPZ-1.0-R7
- XC6701DC02FR-G

