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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZH639D0JT

100V 三相半桥栅极驱动器

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品牌名称
Semiment(赛卓)
商品型号
ZH639D0JT
商品编号
C41371521
商品封装
TSSOP-20​
包装方式
编带
商品毛重
0.119克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
工作电压5V~12V
属性参数值
上升时间(tr)100ns
下降时间(tf)50ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

ZH639D0是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动通道可用于高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压为120V。三个输出通道内置自适应死区时间,以避免交叉导通。输出模块集成了灌源平衡电路,无需在IC和功率晶体管的栅极之间使用电阻器和二极管。高端和低端输出由输入独立控制,且高端配备欠压保护。 24引脚封装设有独立的功率地和逻辑地引脚,便于PCB布局并减少干扰。

商品特性

  • 用于三相N沟道MOS或IGBT的驱动器
  • 高端浮动自举电源,工作电压高达120V
  • 集成自举二极管
  • 集成灌源平衡电路,功率晶体管栅极无需电阻器或二极管
  • 输出等效电流能力为2.5A
  • 最大工作频率500kHz
  • 逻辑输入电平与3.3V / 5V兼容
  • 高端欠压保护
  • 自适应死区时间控制电路
  • 内置锁定功能,防止直通
  • 封装形式:QFN24、TSSOP20

应用领域

  • 无人机
  • 电动工具
  • 电机驱动器
  • 无线充电器

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个4000个/圆盘

近期成交9