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SPI73N03S2L-08-VB实物图
  • SPI73N03S2L-08-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPI73N03S2L-08-VB

1个N沟道,耐压:30V,电流:90A

描述
TO262;N—Channel沟道,30V;90A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
商品型号
SPI73N03S2L-08-VB
商品编号
C41370495
商品封装
TO-262​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)257nC@10V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)970pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.725nF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
  • 沟槽功率 MOSFET
  • 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

  • 直流-直流(DC/DC)转换器
  • 便携式应用的负载开关

数据手册PDF