- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SM1A25NSV-VB
1个N沟道,耐压：100V，电流：5A
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SM1A25NSV-VB
- 商品编号
- C41370472
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- N 沟道 MOSFET
应用领域
- 初级侧开关