RCD075N20TL-VB
1个N沟道,耐压：200V，电流：10A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3.06V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RCD075N20TL-VB
- 商品编号
- C41370380
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 245mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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