PSMN002-25P-VB
1个N沟道,耐压：30V，电流：180A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,30V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.7V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN002-25P-VB
- 商品编号
- C41370374
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,38.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 8.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥5.85￥292.5
200+￥2.34￥117
500+￥2.26￥113
1000+￥2.22￥111
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起