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ME2350D-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

描述
SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V;Vth=0.45~1V;
商品型号
ME2350D-VB
商品编号
C41370343
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0185克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)865pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光镇流器照明-工业领域

数据手册PDF