IXFH102N15T-VB
1个N沟道,耐压：150V，电流：150A
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,150V；150A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXFH102N15T-VB
- 商品编号
- C41370314
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- Qqd极低，可降低开关损耗
- 100%进行Rg测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关