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HY0720L-VB
这是一款单体N沟道场效应管；台积电流片，长电科技封装；采用沟槽技术制造。适合用于电源管理模块中的开关电源设计。以及DC-DC转换器和稳压器等应用，确保高效的能量转换和稳定的电源输出。
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 81249-2-21 定义。 第三代沟槽功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HY0720L-VB
- 商品编号
- C41370280
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 第三代沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域