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GN2302-VB
1个N沟道,耐压：20V，电流：6A
- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- GN2302-VB
- 商品编号
- C41370255
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249 - 2 - 21 定义，无卤
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC