温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ELM34609AA-N-VB
1个N+P沟道,耐压：±30V，电流：9/-6A
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；9/-6A；RDS(ON)=15/42mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.65V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ELM34609AA-N-VB
- 商品编号
- C41370216
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V；41.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@20V；620pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF@20V；33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源