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AFP2311AS23RG-VB实物图
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AFP2311AS23RG-VB

1个P沟道,耐压：-30V，电流：-5.6A

描述
SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AFP2311AS23RG-VB
商品编号
C41369986
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)24nC@10V；11.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.295nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

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