CID10N65E3
CID10N65E3
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- 描述
- 氮化镓MOS 650V200毫欧
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- CID10N65E3
- 商品编号
- C41369699
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |
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