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CID10N65E3

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描述
氮化镓MOS 650V200毫欧
商品型号
CID10N65E3
商品编号
C41369699
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)650V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)2.3nC
属性参数值
输入电容(Ciss)83pF
反向传输电容(Crss)0.4pF
输出电容(Coss)27pF
导通电阻(RDS(on))160mΩ

数据手册PDF