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RS512M16Z2DD-62DT
8Gb：X4、X8、X16 DDR4 SDRAM
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- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV/+250mV。 片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O。 温度范围：0°C 至 95°C。 0°C 至 85°C 时 8192 周期刷新：-64ms
- 品牌名称
- Rayson(晶存)
- 商品型号
- RS512M16Z2DD-62DT
- 商品编号
- C41356073
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.338571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V；2.375V~2.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V + 60mV，VPP = 2.5V - 125mV / + 250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 工作温度范围为0°C至95°C
- 在0°C至85°C时，8192周期刷新时间为 - 64ms；在85°C至95°C时为 - 32ms
- 工作温度范围为0°C至95°C
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组；8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前置码
- 数据选通前置码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器
- 读写能力
- 写和读电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连接性测试（x16）
- 封装后修复（PPR）和软封装后修复（sPPR）能力
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- DN50-1
- DS-IPC-T12HV3-IA(POE)2.8mm
- DS-IPC-T12HV3-IA(POE)4mm
- DS-IPC-T12HV3-IA(POE)8mm
- DS-IPC-B12HV3-IA(PoE)4mm
- DS-IPC-B12HV3-IA(PoE)6mm
- DS-IPC-B12HV3-IA(PoE)8mm
- DS-2CD3346WDV3-I 2.8mm
- DS-2CD3346WDV3-I 6mm
- DS-2CD3346WDV3-I 8mm
- DS-2CD3T46WDV3-I3 4mm
- DS-2CD3T46WDV3-I3 8mm
- DS-2CD3386FWDA4-LS 2.8mm
- DS-2CD3386FWDA4-LS 4mm
- DS-2CD3386FWDA4-LS 6mm
- DS-2CD3386FWDA4-LS 8mm
- DS-2CD3T86FWDA4-LS 2.8mm
- DS-2CD3T86FWDA4-LS 4mm
- DS-2CD3T86FWDA4-LS 6mm
- DS-2CD3T86FWDA4-LS 8mm
- DS-2CD3T86FWDA4-LS 12mm