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SP2026KCTW
小电流N+P型 MOSFET N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:750mA
- 描述
- N+P MOSFET产品，ESD防护，耐压：20V，电流：N 0.75A/P -0.66A, Rdson：N 250mR/P 650mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2026KCTW
- 商品编号
- C41355148
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA；660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V；650mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA；650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V；800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF；75pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF；20pF |