温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP60P23TH
中低压P型MOSFET
- 描述
- 中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V,电流：-40A,RDSON:23mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60P23TH
- 商品编号
- C41355209
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品特性
- VDS = -60V,ID = -40A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 28mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 负载开关