温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP20N11KNQ
中低压N型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- 中低压MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：20V,电流：9A,RDSON:11mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP20N11KNQ
- 商品编号
- C41354845
- 商品封装
- PDFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V；20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品特性
- 高功率和大电流处理能力
- 表面贴装封装
- 静电放电保护达2KV
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器