CR5445

CR5445是内置高压功率MOSFET的电流模反激PWM控制芯片，适用于18W以内的离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。 为保证芯片正常工作，针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能的保护措施，包括软启动、过温保护（OTP）、VDD欠压锁定保护（UVLO）、过压保护（OVP）及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对音频噪声和FM干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的EMI性能。 CR5445具有很低的启动电流，实际应用时可采用大启动电阻，既能满足快速启动，又能使启动功率损耗最小。工作电流低于2mA，轻载时采用Burst工作模式，轻载工作效率高。 每一次VDD电源启动瞬间，芯片内部触发软启动功能，在约2ms内峰值电流从0上升到最大值，减少电源启动期间功率管电压应力。 在轻载或空载时，开关电源大部分损耗源于功率MOSFET开关损耗、变压器铁损和缓冲电路损耗，功率损失与开关频率成正比，降低开关频率可节能。CR5445开关频率可根据负载内部调节，正常负载以固定频率发波，负载减小到一定程度工作在PFM模式，负载进一步降低则间歇性发波，减小待机功耗。开关频率控制采用无噪音工作模式，不进入人耳敏感音频范围，减小音频噪声。 CR5445具有频率抖动功能，开关频率以固定中心频率为基准在一定范围内小幅随机变化，分散谐波干扰能量，扩展频谱降低窄带EMI，简化系统设计。 采用电流模式PWM控制技术，具有逐周期峰值电流限制功能。MOSFET导通瞬间会产生大瞬时电流，前沿消隐电路滤除SENSE端瞬时大电压，防止错误检测，前沿消隐时间内功率MOSFET保持关断，节省外部RC网络。 斜波补偿电路在SENSE端检测电压信号上叠加三角波信号，改善系统工作在CCM模式的闭环稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。 内置功率MOSFET采用栅极软驱动控制，内置Totem Pole栅极软驱动设计调节驱动强度和死区时间，降低系统损耗并实现良好EMI特性设计，栅极驱动强度还可通过调整VDD和VDDG之间电阻控制漏极下降沿，使系统EMI设计更灵活。 为确保系统正常工作，内置多重保护措施，触发时关断功率MOSFET，包括逐周期电流限制（OCP）、过温保护（OTP）、过载保护（OLP）、VDD欠压锁定（UVLO）保护、过压保护（OVP）和VDD箝位功能。逐周期电流限制（OCP）带有内置线电压补偿，可实现宽输入电压范围（85V~265V）时恒定功率输出控制。当FB端电压大于过载限制阈值TD_PL（典型50ms）后，控制电路关闭功率开关管，直到VDD电压下降到UVLO - ON阈值后芯片重新启动。芯片正常工作时VDD电压由变压器辅助绕组提供，当VDD电压大于VDD过压保护阈值时，关闭输出，直到VDD电压下降到UVLO - ON阈值后重新启动。当VDD电压超过VDD箝位阈值时，内部VDD箝位电路将VDD箝位在30V，保护VDD端口，此时输出仍关闭。

• 内置2ms软启动以降低功率管开机尖峰电流
• 采用轻载降频设计，以提高效率和降低待机功耗
• 采用频率抖动以达到更好的EMI性能
• SENSE峰值电流检测输入端内置前沿消隐功能
• 无音频噪声工作模式
• 固定工作频率：100kHz
• 内置斜坡补偿
• 低的启动电流和工作电流
• 欠压锁定保护（UVLO）
• 过载保护(OLP)
• 过温保护（OTP）
• 过压保护(OVP)
• 具有动态峰值限定功能，在全电压输入范围内获得比较一致的最大输出功率
• 保护解除后自动恢复功能
• 3000V ESD
• 内置600V MOSFET高压BiCMOS工艺DIP - 8L绿色封装

• AC/DC电源适配器
• 备用开关电源
• DVD/DVB电源
• ADSL等无线路由器开关电源